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資訊中心

常見問題


Q

良好的薄膜須具備那些特性?影響的因素有哪些?

A

通俗的定義為在正常狀況下,其應用功能不會失效。想要達到這個目的,一般而言這層薄膜必須具有堅牢的附著力、很低的內應力、針孔密度很少、夠強的機械性能、均勻的膜厚、以及足夠的抗化學侵蝕性。薄膜的特性主要受到沉積過程、成膜條件、接口層的形成和基材的影響,隨后的熱處理亦扮演重要角色。

Q

何為化學氣相蒸鍍(CVD)?主要的優缺點有哪些?

A

優點: (1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如熱噴覆 (2)沉積速率快,大氣CVD可以達到1μm/min (3)與PVD比較的話。化學量論組成或合金的鍍膜較容易達成 (4)鍍膜的成份多樣化,如金屬、非金屬、半導體、光電材料、鉆石薄膜 (5)可以在復雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷 (6)厚度的均勻性良好,低壓CVD甚至可以同時鍍數十芯片 缺點: (1)熱力學及化學反應機制不易了解或不甚了解 (2)需要在高溫下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜產生作用 (3)反應氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理時需小心 (4)反應生成物可能殘余在鍍膜上,成為雜質 (5)基材的遮蔽很難

Q

PVD化學氣相沉積法反應步驟可區分為哪五個步驟?

A

(1)不同成份氣相前置反應物由主流氣體進來,以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下,前置物在基板上的濃度是零,亦即在基板上立刻反應,實際上并非如此。 (2)前置反應物吸附在基板上,此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。 (3)前置物在基板上進行化學反應,產生沉積物的化學分子,然后經積聚成核、遷移、成長等步驟,后聯合一連續的膜。 (4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。 (5)被去吸附的氣體,以擴散機制傳輸到主流氣相,并經傳送排出。

Q

TiN氮化鈦鍍膜具有哪些特點?

A

(1)抗磨損 (2)具亮麗的外觀 (3)具安全性,可使用于外科及食品用具。 (4)具潤滑作用,可減少磨擦。 (5)具防蝕功能 (6)可承受高溫

Q

真空蒸鍍可應用在哪些產業?

A

1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2等),鏡片置于半球支頂,一次可鍍上百片以上。 2.金屬、合金或化合物鍍膜,應用于微電子當導線、電阻、光電功能等用途。 3.鍍鋁或鉭于絕緣物當電容之電極。
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